1.氮气-N2,纯度要求>99.9999%,用作标准气、在线仪表标准气、校正气、零点气、平衡气；用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入、等离子干刻、光刻、退火、搭接、烧结等工序；电器、食品包装、化学等工业也要用氮气。

2.氧气-O2,>99.9999%,用作标准气在线仪表标准气、校正气、零点气；还可用于医疗气；在半导体器件制备工艺中用于热氧化、扩散、化学气相淀积、等离子干刻等工序；以及用于光导纤维的制备。

3.氩气-Ar,>99.9999,用作标准气、零点气、平衡气；用于半导体器件制备工艺中晶体生长、热氧化、外延、扩散、氮化、喷射、等离子干刻、载流、退火、搭接、烧结等工序；特种混合气与工业混合气也使用氢。

4.氢气-H2,>99.9999%,用作标准气、零点气、平衡气、校正气、在线仪表标准气；在半导体器件制备工艺中用于晶休生长、热氧化、外延、扩散、多晶硅、钨化、离子注入、载流、烧结等工序；在化学、冶金等工业中也有用。

5.氦气-He,>99.9999%,用作标准气、零点气、平衡气、校正气、医疗气；于半导体器件制备工艺中晶体生长、等离子干刻、载流等工序；另外,特种混合气与工业混合气也常用。

6.氯气-Cl2,>99.9999%,用作标准气、校正气；用于半导体器件制备工艺中晶体生长、等离子干刻、热氧化等工序；另外,用于水净化、纸浆与纺织品的漂白、下业废品、污水、游泳池的卫生处理；制备许多化学产品。

7.氟气-F2,>98%,用于半导体器件制备工艺中等离子干刻；另外,用于制备六氟化铀、六氟化硫、三氟化硼和金属氟化物等。

8.氨气-NH3,>99.995%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气；用于半导体器件制备工艺中氮化工序；另外,用于制冷、化肥、石油、采矿、橡胶等工业。

9.氯化氢-HCI,>99.995%,用作标准气；用于半导体器件制备工艺中外延、热氧化、扩散等工序；另外,用于橡胶氯氢化反应中的化学中间体、生产乙烯基和烷基氯化物时起氧氯化作用。

10.一氧化氮-NO,>99%,用作标准气、校正气；用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积主序；制备监控大气污染的标准混合气。

11.二氧化碳-CO2,>99.99%,用作标准气、在线仪表标推气、校正气；于半导体器件制备工艺中氧化、载流工序警另外,还用于特种混合气、发电、气体置换处理、杀菌气体稀释剂、灭火剂、食品冷冻、金属冷处理、饮料充气、烟雾喷射剂、食品贮存保护气等。

12.氧化亚氮-N2O,(即笑气),>99.999%,用作标准气、医疗气；用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积、医月麻醉剂、烟雾喷射剂、真空和带压检漏；红外光谱分析仪等也用。

13.硫化氢-H2S,>99.999%,用作标准气、校正气；用于半导体器件制备工艺中等离子干刻,化学工业中用于制备硫化物,如硫化钠,硫化有机物；用作溶剂；实验室定量分析用。

14.四氯化碳-CCl4,>99.99%,用作标准气；用于半导体器件制备工艺中外延丫、化学气相淀积等工序；另外,用作溶剂、有机物的氯化剂、香料的浸出剂、纤维的脱脂剂、灭火剂、分析试剂、制备氯仿和药物等。

15.氰化氢-HCN,>99.9,用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序；制备氢氰酸溶液,金属氰化物、氰氯化物；也用于制备丙烯睛和丙烯衍生物的合成中间体。

16.碳酰氟-COF2,>99.99%,用于半寻体器件制备工艺中等离子干刻工序；另外,用作氟化剂。

17.碳酰硫-COS,>99.99%,用作校正气；用于半导体器件制备工艺中离子注入工序；也用于有些羧基、硫代酸、硫代碳酸盐和噻唑的合成。

18.碘化氢-HI,>99.95%,用于半导体器件制备工艺中离子注入工序；还用于氢碘酸溶液制备。

19.嗅化氢-HBr,>99.9%,用于半导体制备工艺中等离子干刻工序；用作还原剂,制备有机及无机澳化合物。

20.硅烷-SiH4,>99.999%,电阻率>100Ω/cm2,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积等工序。

21.乙硅烷-Si2H6,>99.9%,用于半导体制备工艺中化学气相淀积。

22.磷烷-PH3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入等工序；磷烷与二氧化碳混合的低浓度气体,可用于杀死粮仓的虫卵和制备阻火化合物。

23.砷烷-AsH3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、化学气相淀积、离子注入等工序。

24.硼烷-B2H6,>99.995%,用于半导体器件制备工艺中外延、扩散、氧化等工序；用于有些化学工业合成过程:如氢硼化反应(即生成醇类),有机功能的衰退,制备较高的硼烷衍生物和碳甲硼烷化合物。

25.锗烷-GeH4,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、离子注入工序。

26.锑烷-SbH3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、离子注入工序。

27.四氧甲硅烷-Si(OC2H5)4,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序。

28.乙烷-C2H6,>99.99%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气；用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序；还用于冶金工业的热处理,化学工业中制备乙醇、氧化乙二醇、氯乙烯、高醇类、乙醛等。

29.丙烷-C3H8,>99.99%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气；用于半导体器件制备工艺中等离子干刻工序；另外,用于燃料、冷冻剂、制备乙烯与丙烯的原料。

30.硒化氢-H2Se,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序。

31.碲化氢-H2Te,>99,999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序。

32二氯二氢硅-SiH2Cl2,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。

33.三氯氢硅-SiHCl3,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。

34.二甲基碲-(CH3)2Te,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中扩散、离子注入工序。

35.二乙基碲-(C2H5)2Te,>99.999%,用途同(34)。

36.二甲基锌(CH5)2Zn,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中化学气相淀积工序。

37.二乙基锌(C2H5)2Zn,>99.999%,用途同(36)。

38.三氯化磷-PCl3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中扩散,锗的外延生长和离子注入工艺；PCl3是有机物的良好氯化剂；也用于含磷有机物的合成。

39.三氯化砷-AsCl3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中的外延和离子注入。

40.三氯化硼-BCl3,>99.99%,用于等离子干刻、扩散；作硼载气及一些有机反应的催化剂；精炼镁、锌、铝、铜合金时从溶化金属中除掉氮、碳、氧化合物。

41.四氯化硅-SiCl4,>99.999%,用于半导体器件制备工艺中外延、化学气相淀积工序。

42.四氯化锡-SnCl4,>99.99%,用于外延、离子注入。

43.四氯化锗-GeCl4,>99.999%,用于离子注入。

44.四氯化钦-TiCl4,>99.99%,用于等离子干刻。

45.五氯化磷-PCl5,>99.99%,用于外延、离子注入。

46.五氯化锑-Sb=Cl5,>99.99%,用于外延、离子注入。

47.六氯化钥-MoCl6,>99.9%,用于化学气相淀积。

48.三嗅化硼-BBr3,>99.99%,用于半导体器件制备工艺中离子注入工序和制备光导纤维。

49.三嗅化磷-PBr3,>99.99%,用于外延、离子注入。

50.磷酞氯-POCI3,>99.999%,用于扩散工序。

51.三氟化硼-BF3,>99.99%,用于离子注入；另外,可作载气、某些有机反应的催化剂；精炼镁、锌、铝、铜合金时从熔化金属中除掉氮、氧、碳化物。

52.三氟化磷-PF3,>99%,用于外延、离子注入工序；另外用作氟化剂。

53.三氟化砷-AsF3,>99.9%,用途同(52)。

54.二氟化氨-XeF2,>99.9%,用于外延、离子注入工序；用于固定模具氨的考察及原子反应堆排放废气中氮的测定。

55.三氟氯甲烷-CClF3,(R-13),>99.995%,用于等离子干刻工序；冷冻剂、空调均可用。

56.三氟甲烷-CHF3,(R-23),>99.999%,用于等离子干刻工序;低温冷冻剂。

57.三氟化氮-NF3>99.99%,用于等离子干刻工序;火箭推进剂、氟化剂。

58.三氟嗅甲烷-CBrF3,(R13B1),>99.99%,用于等离子干刻工序;还用于空调、低温冷冻及灭火剂。

59.三氟化硼-11-B11F3,>99.99%,用于离子注入工序(天然硼的同位素,含11B8l%,10B19%。出售的11B是浓缩含有96%同位素BF3);还用于制备光导纤维。

60.四氟化碳-CF4,(R-14),>99.99%,用于等离子干刻工序;在很低温度下作为低温流体用;也用于中性及惰性气体。

61.四氟化硫-SF4,>98%,用于等离子干刻工序;氟化剂、表面处理剂。

62.四氟化硅-SiF4,>99.99%,用于化学气相淀积工序;制备氟硅酸及其盐类。

63.四氟化锗-GeF4,>99.999%,用于离子注入工序。

64.五氟化磷-PF5,>99.9%,用于离子注入、等离子干刻工序;另外,用作氟化剂,聚合、烃化及脱烃化反应、烃类裂化反应时作催化剂。

65.五氟氯乙烷-C2ClF6,(R-115),>99.99%,用于等离子干刻工序;另外,作冷冻剂、烟雾喷气剂。

66.五氟化砷-AsF5,>99%,用于外延、离子注入工序,氟化剂。

67.六氟乙烷-C2F6,(R-116),>99.99%,用于等离子干刻工序;用作冷却、冷冻剂和空调;单体生产的原料;化学反应中的添氟剂、电器设备的绝缘剂。

68.六氟化硫-SF6,>99.99%,用作标准气;用于化学气相淀积工序;由于在高电压下具有很高的电阻,用作电器设备的绝缘剂;检漏气体,实验室中作色谱仪的载气。

69.六氟化钨-WF6,>99.99%,用于化学气相淀积工序;强烈的氟化剂;也用作钨载体。

70.六氟化氧-(CF3)2O2,>99.99%,用于等离子干刻工序。

71.六氟乙酰-(CF3)2CO,>99.99%,用途同(70)。

72.六氟乙酞氧-(CF3CO)2O,>99.99%,用途同(70)。

73.六氟化铼-ReF6,>97%,用于离子注入工序;氟化剂。

74.八氟丙烷-C3F8,(R-218),>99.9%,用于等离子干刻工序;与氟利昂相混合作冷冻剂;高压电的绝缘剂。

75.八氟环丁烷-C4F8,(RC318),>99.99%,用于等离子干刻工序;用作冷却剂、冷冻剂;作电器和电子设备的气体绝缘。

76.十二氟戊烷-C5F12,>99.9%,用于等离子干刻工序;也可与CF4相混用。

77.三甲基铝-(CH3)3Al,>99.999%,用于化学气相淀积工序;金属的有机合成。

78.三甲基镓-(CH3)3Ga>99.999%,用途同(77)。

79.三甲基锑-(CH3)3Sb,>99.999%,用途同(77)。

80.三甲基锢-(CH3)3In,>99.999%,用途同(77)。

81.三乙基铝-(C2H5)3Al,>99.999%,用途同(77)。

82.三乙基镓-(C2H5)3Ga,>99.999%,用途同(77)。

83.四乙基铅-(C2H5)4Pb,>99.999%,用于化学气相淀积工序。

84.丙烯腈-C3H3N,>99.9%,用于等离子干刻工序。

85.1,1,2-三氯乙烯-C2HCl3,>99.99%,用作标准气、校正气、医疗气;用于半导体器件制备工艺中热氧化工序;另外,用于金属的脱脂剂和脂肪、油、石蜡等萃取剂,衣服干洗,冷冻剂,杀菌剂。

86.甲烷-CH4,99.999%,用作标准气、校正气、在线仪表标准气;作燃料、宇宙飞船中气体电池。

87.甲烷硫醇-CH3SH,>99.5%,用作标准气、校正气;用于有机合成;作为喷气燃料添加剂,杀真菌剂和蛋氨酸的中间体。

88.一甲胺-CH3NH2,>99%,用于硫化促进剂、药物、染料和炸药等,并作溶剂、有机合成、醋酸人造纤维。

89.甲醇-CH3OH,>99.9%,用作标准气,与空气混合后作校正气;用于制备甲醛和农药乡用于有机物质的萃取剂和酒精的变性剂。

90.二甲胺-(CH3)2NH,>99%,用作抗氧化剂;在溶液中作浮洗.剂、汽油稳定剂、橡胶加速剂等。

91.二甲醚-(CH3)2O,>99.9%,在化学工业中用作配制合成橡胶和甲硫醚;用作甲基剂、萃取剂、溶剂;也用作制冷剂。

92.乙炔-C2H2,>99.9%,用作标准气、校正气;化学工业中的中间体,如制备乙烯、乙醛、醋酸乙烯、氯乙烯、乙烯醚等;用于原子吸收光谱。

93.乙烯-C2H4,>99.99%,用作在线仪表标准气、标准气、校正气;是化学

工业合成中的重要原料,生产塑料的中间体,生产乙醇、醋酸、氧化乙烯、氯乙烯、乙苯等的原料;也用于焊接和切割、冷冻剂、某些水果、蔬菜生长的加速剂。94.氧化乙烯-C2H4O,99.9%,用作标准气、校正气、医疗气;与CO2、R11、R21相混合作消毒剂,文物保管,皮革消毒,清洗衣料均可采用;化学工业中用作中间体,生产液体或固体聚乙二醇、乙醇胺类等。

95.溴代乙烯-C2H3Br,>99.9%,用作有机合成的中间体,用聚合法与共聚法来制备塑料。

96.一乙胺-CH3CH2NH2,>99%,水溶液中含有70%乙胺,作为下列化学工业制备中的中间体:着色剂,电镀池、硫化增速剂等;还用于制药、表面活性剂、萃取剂。

97.四氟乙烯-C2F4,>99%,在生产塑料时作为一种重要的单体,如泰氟隆等。